الوصلات البينية والتغليف المتقدم - (غلاف فني)

ملخص الكتاب على عكس الترانزستورات، يؤدي التصغير المستمر لحجم الميزات في تقنية CMOS إلى ارتفاع هائل في مقاومة الوصلات البينية وما يصاحب ذلك من تدهور في الأداء. وعند عقد التكنولوجيا بمقياس النانو، يصبح تأخير الوصلات البينية وموثوقيتها من العقبات الرئيسية التي تواجه الدوائر المتكاملة الحديثة. ولحل مشكلات الوصلات البينية هذه، تم اقتراح واستقصاء تقنيات ناشئة متنوعة، بما في ذلك الفجوات الهوائية، والكربون النانوي، والتقنيات البصرية، والوصلات عبر السيليكون (TSV). فعلى سبيل المثال، وبفضل تقنية TSV، يمكن تكديس الرقائق لزيادة كثافة التكامل. والأهم من ذلك، يوفر التكامل والتغليف ثلاثي الأبعاد (3D) المنصة الأكثر واعداً لتنفيذ تقنيات "More-than-Moore"، مما يتيح دمج مواد وتقنيات غير متجانسة على شريحة واحدة. يسعى العدد الخاص بعنوان "Advanced Interconnect and Packaging" إلى استعراض الأوراق البحثية حول التطورات الجديدة في مجالات التوصيل والتغليف المتقدمة، أي في تصميم ونمذجة وتصنيع وتقييم موثوقية تقنيات التوصيل والتغليف الناشئة. بالإضافة إلى ذلك، يتضمن العدد ورقتين بحثيتين متميزتين حول وصلات أنابيب الكربون النانوية وقضايا موثوقية التوصيل.